为啥大家不去哈根达斯了？

为啥大家不去哈根达斯了？

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大家达b计算的ΔGdiss-1或ΔGB值与三种氮化钼表面电沉积容量之间的关系。不去d,eMo5N6,MoN和Mo2N的Mo3dXPS和MoL3,L2edgeNEXAFS光谱。

哈根d三种硫电极在不同电压下的活化能。为啥b在不同电压下S/C电极的活化能。大家达通过可溶多硫化物进行金属硫化物电沉积是实际硫电极的速控步。

不去f实线表示图6b-d中红色圆圈中S的DOS。虽然SRR中间体过于敏感，哈根无法在空气中检测到，哈根但具有时间分辨率的原位同步加速器表征技术的进展允许识别特定的多硫化物和金属硫化物，并跟踪动态转化。

a-cEx-situNEXAFS用于S/Mo5N6、为啥S/MoN和S/Mo2N的MoL3-edge。

大家达a三个表面上Na2S2转化为NaS*的吉布斯自由能图。p型PbTe的性能优异，不去ZTavg值在400−923K区间可达1.7，而n型PbTe的ZTavg约为1。

(2) 偏心Zn原子合金化为Ga原子创造了宽松的原子配位环境，哈根使其产生低频光学声子振动，有效软化了声子振动模，降低晶格热导率。为啥文献链接：https://doi.org/10.1039/D1EE02986J。

为此，大家达福州大学罗中箴教授、大家达新加坡南洋理工大学颜清宇教授和美国西北大学MercouriG.Kanatzidis教授及合作者，近期在n型PbTe材料中实现了热电性能的新突破。不去热电转换技术是实现上述目的的关键。